Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4×4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND

Opis

512 GB marka: Goodram o parametrach: Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4×4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND

SPECYFIKACJA

Typ dysku SSD
Typ kości pamięci 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. Tak
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
Interfejs M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza M.2 klucz M
Prędkość odczytu (max) 5100 MB/s
Prędkość zapisu (max) 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written) 300.0
Odczyt losowy 780000 IOPS
Zapis losowy 920000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
Kolor obudowy Czarny (Black)
Informacje dodatkowe Kontroler: Phison E21T
Informacje dodatkowe Temperatura: -25°C ~ 85°C
Informacje dodatkowe Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C
Informacje dodatkowe Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm
Informacje dodatkowe 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW
Gwarancja producenta [mies.] 60